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Marca: Samsung
Samsung Galaxy S24 15,8 cm (6.2") Doppia SIM Android 14 5G USB tipo-C 8 GB 256 GB 4000 mAh Nero
Samsung Galaxy S24 , 15,8 cm (6.2"), 8 GB, 256 GB, 50 MP, Android 14, Nero
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Siemens EX375FXB1E, Nero, Da incasso, Piano cottura a induzione, Vetro-ceramica, 2 Fornello(i), 2 Fornello(i)
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Siemens EX875LYC1E, Nero, Da incasso, Piano cottura a induzione, Ceramica, 4 Fornello(i), 4 Fornello(i)
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Marca: Samsung
Samsung Galaxy S25 15,8 cm (6.2") Doppia SIM Android 15 5G USB tipo-C 12 GB 256 GB 4000 mAh Blu marino
Samsung Galaxy S25 , 15,8 cm (6.2"), 12 GB, 256 GB, 50 MP, Android 15, Blu marino
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D3 SSDSCKKB480G801 drives allo stato solido M.2 480 GB Serial ATA III TLC 3D NAND
D3 SSDSCKKB480G801, 480 GB, M.2, 555 MB/s
Descrizione
D3 SSDSCKKB480G801. Capacità SSD: 480 GB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 555 MB/s, Velocità di scrittura: 480 MB/s, Componente per: Server/workstation
| Dimensione SSD | M.2 |
| Capacità SSD | 480 GB |
| Interfaccia | Serial ATA III |
| Tipo memoria | TLC 3D NAND |
| NVMe | No |
| Componente per | Server/workstation |
| criptaggio hardware | Sì |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Velocità di lettura | 555 MB/s |
| Velocità di scrittura | 480 MB/s |
| scrittura casuale (100% span) | 91000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| scrittura casuale (100% span) | 18000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Lettura casuale | 91000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale | 18000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Latenza di lettura | 34 µs |
| Latenza di scrittura | 35 µs |
| Protezione dati da utente a utente | Sì |
| Tecnologia Potenziata Protezione Perdita di Energia | Sì |
| SSD monitoraggio temperatura | Sì |
| Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) | < 1 per 10^17 bits read |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 2000000 h |
| SSD ARK ID | 134921 |
| Numero di classificazione del controllo delle esportazioni (ECCN) | 5A992C |
| Sistema di tracciamento automatico della classificazione delle merci (CCATS) | G162706 |
| Consumo di energia (in lettura) | 3 W |
| Consumo di energia (in scrittura) | 3 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,8 W |
| Tecnologia Intel® High Endurance (HET) | No |
| Tecnologia Intel® Rapid Start | No |
| Intel® Remote Secure Erase | No |
| Intel® Smart Response Technology | No |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Massima temperatura di funzionamento | 70 °C |
| Vibrazione di funzionamento | 2,17 G |
| Vibrazione di non-funzionamento | 3,13 G |
| Shock di funzionamento | 1000 G |
| Shock di non-funzionamento | 1000 G |
| Larghezza | 22 mm |
| Altezza | 80 mm |
| Codice del Sistema Armonizzato (SA) | 84717070 |
| rating della resistenza | 1,15 PB |
| Famiglia processore | Intel SSD D3 |
| Monitoraggio e registrazione della temperatura | Sì |
| Shock (operativo e non operativo) | 1000 G/0.5 msec |
| Data di lancio | Q1'19 |
| Tasso di autonomia dell'unità SSD | 1.2 PBW |
| Consumo energetico dell'unità SSD (inattiva) | 0.8W |
| Resistenza agli urti dell'unità SSD | 1000 G/0.5 msec |
| Lettura sequenziale | 555 MB/s |
| Scrittura sequenziale | 480 MB/s |
| Stato | Launched |
| Serie di prodotto | Intel® SSD D3-S4510 Series |
| Nome in codice del prodotto | Youngsville Refresh |
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