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Gigabyte GP-GSTFS31256GTND drives allo stato solido 2.5" 256 GB Serial ATA III V-NAND
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Gigabyte GP-GSTFS31256GTND drives allo stato solido 2.5" 256 GB Serial ATA III V-NAND

3DBF1017

Gigabyte GP-GSTFS31256GTND, 256 GB, 2.5", 520 MB/s, 6 Gbit/s

37,00 €
Tasse incluse
Quantità
Articolo in magazzino

NB. Per richiesta fattura compilare i campi Partita IVA o CODICE FISCALE presenti in fase di conferma ordine.

Descrizione
Gigabyte GP-GSTFS31256GTND. Capacità SSD: 256 GB, Dimensione SSD: 2.5", Velocità di lettura: 520 MB/s, Velocità di scrittura: 500 MB/s, Velocità di trasferimento dati: 6 Gbit/s, Componente per: PC/PC portatile
Dimensione SSD2.5"
Capacità SSD256 GB
InterfacciaSerial ATA III
Tipo memoriaV-NAND
Componente perPC/PC portatile
Velocità di trasferimento dati6 Gbit/s
Velocità di lettura520 MB/s
Velocità di scrittura500 MB/s
Lettura casuale (4KB)80000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)85000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.Sì
Supporto TRIMSì
Tempo medio tra guasti (MTBF)2000000 h
Classificazione per TBW100
Consumo di energia (in lettura)2,24 W
Consumo di energia (in scrittura)2,61 W
Consumo energetico (inattivo)0,17 W
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
Intervallo di temperatura-40 - 85 °C
Shock di funzionamento1500 G
Larghezza69,8 mm
Profondità7 mm
Altezza100 mm
Codice del Sistema Armonizzato (SA)84717070
Dettagli del prodotto
Gigabyte
3DBF1017
6 Articoli

Scheda tecnica

Larghezza
69,8 mm
Profondità
7 mm
Altezza
100 mm
Codice del Sistema Armonizzato (SA)
84717070
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Intervallo di temperatura
-40 - 85 °C
Interfaccia
Serial ATA III
Tempo medio tra guasti (MTBF)
2000000 h
Velocità di trasferimento dati
6 Gbit/s
Componente per
PC/PC portatile
Shock di funzionamento
1500 G
Capacità SSD
256 GB
Dimensione SSD
2.5"
Consumo di energia (in lettura)
2,24 W
Consumo di energia (in scrittura)
2,61 W
Consumo energetico (inattivo)
0,17 W
Velocità di lettura
520 MB/s
Velocità di scrittura
500 MB/s
Tipo memoria
V-NAND
Lettura casuale (4KB)
80000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
85000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.
Sì
Supporto TRIM
Sì
Classificazione per TBW
100

Riferimenti Specifici

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